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本文標題："光電領域研究表面輪廓測量儀器-高解析度的光學成像顯微鏡"

發布者：yiyi ------ 分類: 行業動態 ------ 人瀏覽過-----時間：2013-9-26 5:29:37

光電領域研究表面輪廓測量儀器-高解析度的光學成像顯微鏡

近年來Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體家族以及有機

發光半導體材料在光電領域研究上扮演著很重要的角色，

以偏光調變近場光學顯微鏡(PM-NSOM)為工具，利用其高解析度的光學成像能力以及結晶對不同偏振光的吸收差異，

研究無機半導體-(氮化銦鎵薄膜)與有機半導體(OLED)中電子傳輸層(Alq3)之結晶狀態與其發光特性。在氮化銦鎵薄膜上，

我們成功的量測出結晶化程度較差的V型缺陷為非輻射復合中心，而圍繞在V型缺陷環之銦含量比較多的氮化銦鎵簇則為輻射復合中心，

其結晶化程度也較佳。在OLED上，我們成功的量測出低溫制程(-150℃)Alq3薄膜的結晶情形，

而利用此低溫Alq3做成的OLED元件，其發光效率也較傳統元件來的高

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