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本文標題:"半導體陶瓷晶粒晶石顯微結構不同材料電阻率計量顯微鏡"

發布者:yiyi ------ 分類: 行業動態 ------ 人瀏覽過-----時間:2016-4-27 16:3:3

半導體陶瓷晶粒晶石顯微結構不同材料電阻率計量顯微鏡

 
半導瓷之性能與導電機理
 
  與其他電子瓷相比,半導瓷具有兩個獨特的性能:
  1、半導瓷的晶粒電阻率要比其他電子瓷低很多,而且可
以在約10 個數量級范圍內變化,一般電子瓷的晶粒電阻率
和宏觀電阻率接近,在10厘米以上,而半導瓷的晶粒電陰率
和宏觀電阻率并不一致,。而且一般來說要比宏觀電阻率低
得多,它可以在10厘米作廣泛的變化,這種情況有利于半導
瓷的多種用途,例如在摻制成的邊界電容瓷,其宏觀體電阻
率高達1-歐.厘米,而晶粒電阻率低達10歐.厘米造成這種現
象的原因是晶粒之間存在在高絕緣的晶界層,這種夾層結構
減少了介質的有效厚度,是使材料具有高的視在介電系數的
主要來源,又如具有尖晶石結構的過渡金屬氧化物瓷,根據
其材料配比和工藝的不同,可以使電阻率從10負2-10正8歐.
厘米之間變化,制成熱敏電阻,可以滿足在工作溫區內對不
同電阻率的需要。
 
  2、半導瓷的晶粒間界上多數存在一定界面勢壘層,產生
各種各樣的熱勢壘效應,由于半導瓷多數是多相結構,主晶
相一般為半導體而晶界可以是半導體或絕緣體,在主晶相和
晶界的接觸處由于電子態的不同而形成空間電荷層,造成能
帶彎曲,產生界面勢壘層,這種界面勢壘的性質,可以通過
組分,制造工藝進行適當的控制,在工作情況下,載流子越
過勢叄而導電,基電導率不但與勢壘的性質有關,而且與工
作時的光照,溫度,濕度,氣氛,電場強度等環境條件有關
,根據其作用機理加以控制,突出某一環境條件對其電導率
的影響,就可以根據不同需要,制出各種性能的光敏,熱敏
、濕敏、氣敏和壓敏器件。
 
   為了控制半導瓷的性能,就要對它的導電機理進行分析
,半導瓷的種類是多種多樣的,其導電機理也不完全一樣,
但共同的特點是:
  1、在整個導電機制中,電子性導電占主要地位,而離子
性導電往往是比較次要的因素。
  2、大多數的半導瓷常常在晶粒間界上存在一定的界面勢
壘層,對其電導率起重要的作用。
 

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