本文標(biāo)題："SEM要求被測(cè)樣品表層為噴金鍍膜導(dǎo)電材料"
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SEM要求被測(cè)樣品表層為噴金鍍膜導(dǎo)電材料
但是由于SEM要求被測(cè)樣品表層為導(dǎo)電材料(非導(dǎo)電樣品需進(jìn)行表面
導(dǎo)電(噴金鍍膜)處理)，且測(cè)量時(shí)為防止空氣的存在導(dǎo)致電子發(fā)生
散射。需將所有電子運(yùn)行部分處于高真空環(huán)境下。這些要求無疑提
高了檢測(cè)成本，限制了樣品的可觀測(cè)性，如對(duì)于具有微細(xì)結(jié)構(gòu)的非
導(dǎo)電樣品，表面導(dǎo)電處理勢(shì)必會(huì)不同程度地遮蓋表面上的精細(xì)結(jié)構(gòu)
。此外SEM無法直接獲得表面定量的三維形貌信息(Z方向尚未量化)
，而只能對(duì)表面形貌進(jìn)行定性觀察。
SPM采用極細(xì)的探針(針尖曲率半徑一般為10～20 nm)逼近樣品
表面，通過檢測(cè)探針針尖與樣品表面之間的相互作用信息(力、電
、磁、熱)獲得樣品的表面形貌(磁疇結(jié)構(gòu)、熱導(dǎo)性質(zhì)等)。最為典
型的當(dāng)屬掃描隧道顯微鏡(Scanning Tunneling Microscope，STM)
及原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope，AFM)。其中的STM基
于隧道效應(yīng)理論，它將探針和樣品表面作為兩個(gè)電極并在兩極上施
加偏置電壓，通過檢測(cè)探針與樣品間隧道電流的變化來獲得表面形
貌。這種方法的縱橫向分辨率可分別達(dá)到0．01 nm和0．1 nm，但
為了使樣品與針尖間構(gòu)成回路，STM要求被測(cè)樣品表面為導(dǎo)體。
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SEM要求被測(cè)樣品表層為噴金鍍膜導(dǎo)電材料,金相顯微鏡現(xiàn)貨供應(yīng)
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