本文標(biāo)題："通常的蘑菇形電鍍中,光刻膠厚度為25～60μm"
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通常的蘑菇形電鍍中,光刻膠厚度為25～60μm
在電鍍過程中，作為粘附層與擴(kuò)散阻擋層及可浸濕表面的UBM通過
濺射沉積，圓片上涂覆了一層很厚的液態(tài)或干膜型光刻膠，光刻膠
隨后被曝光和顯影。電鍍可以在光刻膠層頂部沉積焊料形成蘑菇狀
結(jié)構(gòu)，然后剝離光刻膠，在凸點(diǎn)問刻蝕UBM。回流工藝可使焊料變
成近乎球形，并在UBM／焊料界面形成金屬間化合物。UBM／焊料界
面對(duì)于凸點(diǎn)到UBM的可靠粘附非常重要。蘑菇形電鍍的優(yōu)點(diǎn)是光刻
膠層厚度可以明顯小于最終的焊球高度，并且在光刻膠邊緣電鍍時(shí)
，由于焊料表面生長，焊料沉積速度很快；缺點(diǎn)是隨著蘑菇狀凸點(diǎn)
形成，電鍍控制變得更加困難。在通常的蘑菇形電鍍中，光刻膠厚
度為25～60μm，因此蘑菇形電鍍不能用于制備細(xì)間距凸點(diǎn)。如果
采用厚光刻膠(約100μm)制作細(xì)間距凸點(diǎn)，則焊料將被完全電鍍到
凸點(diǎn)掩模中。
如果圓片上存在微機(jī)械元件，在薄膜工藝中必須小心以避免可
能的損壞，腔體表面的污染物將來也可能損害MEMS性能。在某些情
況下，在濺射步驟前必須通過涂覆光刻膠，或者在電鍍工藝前通過
局部腐蝕電鍍基底來保護(hù)MEMS區(qū)域。一些含有如空氣橋腔體或加速
度傳感器的三維結(jié)構(gòu)要求采用多次光刻。在這種情況下，最初涂覆
和圖形化的光刻膠層必須填充這個(gè)復(fù)雜系統(tǒng)的中空區(qū)間，從而作為
后續(xù)UBM沉積的一個(gè)光滑底面。
對(duì)于焊料印制，要么采用金屬孔板，要么采用光刻膠模板(適
用于更小節(jié)距)。UBM沉積必須在焊料印制前完成，采用濺射(有時(shí)
與電鍍結(jié)合)的薄膜工藝可用于沉積UBM。一種低成本方法是在舢焊
盤上化學(xué)鍍沉積Ni和浸沒沉積金(ENIG)，ENIG工藝根據(jù)在A1焊盤上
選擇性化學(xué)分解金屬，依次在化學(xué)溶液中處理圓片，每步處理完成
后，必須采用去離子水(DI)仔細(xì)清洗圓片。
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